Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor - Université d'Angers
Article Dans Une Revue Advanced Functional Materials Année : 2019

Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor

Xinjue Zhong
  • Fonction : Auteur
Kihong Lee
  • Fonction : Auteur
Daniele Meggiolaro
  • Fonction : Auteur
Avalon Dismukes
  • Fonction : Auteur
Bonnie Choi
  • Fonction : Auteur
Feifan Wang
  • Fonction : Auteur
Colin Nuckolls
  • Fonction : Auteur
Department of Chemistry [New York]
Daniel Paley
  • Fonction : Auteur
Patrick Batail
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 992004
MOLTECH-Anjou
Filippo de Angelis
  • Fonction : Auteur
Computational Laboratory for Hybrid/Organic Photovoltaics
Xavier Roy
Xiaoyang‐y. Zhu
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie

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https://univ-angers.hal.science/hal-02913918

Soumis le : lundi 10 août 2020-19:57:10

Dernière modification le : mardi 11 juin 2024-08:26:32

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Dates et versions

hal-02913918 , version 1 (10-08-2020)

Identifiants

Citer

Xinjue Zhong, Kihong Lee, Daniele Meggiolaro, Avalon Dismukes, Bonnie Choi, et al.. Mo 6 S 3 Br 6 : An Anisotropic 2D Superatomic Semiconductor. Advanced Functional Materials, 2019, 29 (33), pp.1902951. ⟨10.1002/adfm.201902951⟩. ⟨hal-02913918⟩

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